Samsung、埋め込みフラッシュを置き換える磁気抵抗メモリ「eMRAM」の量産を開始
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1173/653/amp.index.html

eFlash比で約1,000倍高速な書き込み速度を実現しており、より低電圧で動作し、かつ電源オフ時に電力を消費しないため、電力効率が大幅に向上できるという。

また、わずかなレイヤーを追加するだけで実装できるため、既存技術との容易な統合を謳う。

　同社では、2019年内に1GbのeMRAMテストチップをテープアウトする予定で、18nmのFD-SOIプロセスへと将来的に拡張する見込みであるとしている。