>>311続き
電子I個当たりに働くローレンツ力の大きさをf〔N〕とすると、F〔N〕は導線ab中にあるn*S*I個の自由電子が
受けるローレンツ力の合計であるから
f=F/(n*S*I)・・・・・・�B
�@�A式を�B式に代入すると次の式が得られる。
f=(I*B*l)/(n*S*l)=(e*n*v*S*H*l)/(n*S*l)=e*v*B・・・・・(4・92)
一般に、電気量q〔C〕をもつ粒子が、磁束密度B〔Wb/m^2〕の磁場内をこれと垂直の方向に速さ
v〔m/s〕で運動するとき、この荷電粒子の受けるローレンツ力の大きさf〔N〕は
f=q*v*B・・・・・・(4・93)
となる。また、粒子の速度と磁場の方向が角度θをなす場合は、電流が磁場から受ける力(本書→p351)
の場合と同様、時速と垂直な速度の成分 v*sinθを用いて次のようになる。
【f=q*v*B*sinθ】・・・・・・・(4・94)
(4・94)式から、ローレンツ力は、荷電粒子の運動方向が磁場に垂直な場合(sinθ=1)に最も強く、平
行な場合(sinθ=0)には0になることがわかる。